动漫 1964级学友赵正平：深中肯綮抓枢纽 专心致志搞科研
发布日期：2024-11-06 15:17 点击次数：132
赵正平 毕业于清华大学无线电电子学系。毕业后在河北井陉县电讯器材厂任二极管车间主任、厂工夫员。1979年-1982年在南京工学院电子工程系半导体物理与器件专科攻读硕士研究生。毕业后在信息产业部电子第十三研究所使命，历任课题组长、研究室副主任、主任、左右科研的副长处、长处，为研究员级高档工程师。赵正平多年来一直从事砷化镓集成电路与微米、钠米的工夫研究，是该范畴的民众和学术带头东谈主。科研效率显贵，获国度科技高出奖二、三等奖各一次，部科技高出奖一、二、三等奖六次动漫，1993年取得政府特贴民众名称，1994年获国度中后生民众名称，2000年聘为国度863信息范畴民众委的民众。2002年开动在中国电子科技集团公司使命，历任党构成员兼总司理助理、科技委任副主任、党构成员兼副总司理。2006年，被科技部聘为"核高基"国度科技要紧专项执行决议编制民众组民众，2008年退休。此外他还曾兼任总装备部军用微电子专科构成员；卫星灵验载荷及应用工夫专科构成员；中国半导体行业协会副理事长、中国半导体分立器件理事长、中国微米纳米工夫学会付理事长；西安电子科技大学老师、博士生导师；清华大学电子工程系客座老师、副博导，河北工业大学老师、博士生导师。
1947年，赵正平生于镇江，父母均在江苏医学院（南京医科大学前身）担任教研组主任、老师，还曾是同班同学，学习得益分列班级前两名。父亲曾公派留学英国，1957年加入共产党。1952年，他五岁半上镇江敏成小学（谈署街小学），四年龄加入少先队。1957年江苏医学院搬迁至南京，五年龄时随父母前去，就读着名的南京力学小学。由于条目后天不良，他德智体全面发展，屡获三好学生奖状，初中保送至名师聚首的南京十中（金陵中学），高中又顺利考上十中。
清华之梦，空想成真
儿时，赵正平所居住的苏医大院有一东谈主考上清华大学，成为大院内的好意思谈佳话，当听到父母指摘时，“清华大学”四字也在他幼小的心灵深处播下种子，从此他萌发了向往之情。高考前，十中的大会堂里挂满了各大学的先容，清华大学的“清华园，红色工程师的摇篮”这一响亮标语颠簸东谈主心，他暗下决心报考。当晚，快活宜东谈主的清华园神奇地进入他的梦幻：活水淙淙，荷叶田田，青青弥望。1964年秋，他终于圆梦清华大学，成为无零5班电真空工夫专科的又名学生。入学那天，转过旧水利馆，前去9号楼的路上，半年前的梦幻竟历历如绘展当今目前：素秋新霁，林水翳然。行走其间，他心旷神怡。
清华教育为国育才，饱读吹学生好学励志。吃力的学习糊口开动后，对赵正平影响最深的是系科研标杆、德才兼备的典范查良镇学长，那时他已研制出真空质谱议，又是新中国首批少先队员。榜样作用活纯真现，胜于说教。查良镇的钻研精神激勉鞭策着赵正平，他飞腾在科研上有所成就、有一番看成。夏夜，老藏书楼隔水而望，翠色和烟。拾级入馆，大门高敞，明窗映碧，桌几整洁，邺架精品。学俗例氛幽静骚然，他和同学们心甚至远，竿头日进。在见缝插针的日子里，藏书楼偶然能占得座位，好在系馆里亦能寻得适合场所。他也更多在寝室埋头苦读，八名室友围坐在小桌旁，时针滑向夜分……
在清华藏书楼和徐永廷的合影
表面实践，尺度为先
时任清华大学校长蒋南翔指出，学校不提供“干粮”、“面包”，而是教养学陌生析处治问题的“猎枪”、“鱼秆”等器具、尺度。在赵正平眼中“树德树东谈主”的“树东谈主”缔造尺度论，树德则包括慈详律己，为东谈主师表。马克念念宗旨指明，东谈主类历史是从势必王国走向目田王国的历史。他还学习毛主席的“实践论”、“矛盾论”，潜入相识“实践出真知”、“抓主要矛盾”等基本旨趣。
在南京十中时期，赵正平濒临辛劳顿业，深加接管，归拢领略，得益一直拔尖。到大学阶段，他更善于收拢本色，勤念念磨研，连接总结尺度，将学问升沉为我方的剖判。在高等数学课堂上他一边纪录授课内容，一边概述教学念念路。每章节内容、题型、解题念念路各有主次，他致密加以总结归纳：高中数学学问多是线性问题，而大学数学则多为非线性问题；导数是变化率，积分是不轨则的弧线面积……他灵行径脑，钩千里索隐，第一学期高等数学考试得益达100分。他还在英体裁习中期骗轮流学习法、轮回悲哀法。此外，他宝贵实践基础课，在文革“复课闹创新”期间积极参加真空实验，初次瞻念察扩散泵、机械泵，用心绘画电真空剖解图，打下了工程制图的坚实基础。
体育磨真金不怕火，磨练意志
清华一向高度宝玉体育通顺，强调其磨练意志品性的作用。赵正平从小可爱体育，初三因跳高杰出，成为三级通顺员。中学他擅长排球，是南京十中排球通顺员。在清华，他凯旋考上入校排球队成为副攻手。往时，他场所校代表队效仿日本女排教唆大松博文的妖怪老成，平时好学苦练，世俗在老成状貌摸爬滚打，挥手如阴，苦练详确工夫。他感到，体育磨真金不怕火之后头脑特别领略，学习干劲更大、效率更高。清华代表队还赴天津参加校际比赛，那年代表队同学的考试平均得益达88分，可谓品学兼优。
清华男排1968年在西校门
造就情操，活泼胸宇
大学恰是建造“目田王国”的阶段，清华饱读吹学生组织参增多样集体行径。看成班长，赵正平积极参加班级各项行径。1964年国庆节，他和同学们一齐参加天安门游行行径。夜幕来临，华灯初上，在金水桥下，同学们鸾歌凤舞，心扉滂湃，痴迷在将来成立故国的憧憬之中。那年金秋时节，他和班里同学一齐攀高长城。他们从清华园站乘坐小火车抵达八达岭。山川满目，烽燧遥悬，落照衔云，他和同学们感受到故国江山壮好意思，爱国情感油但是升。暑假，在“学兵“行径中他随校代表队在颐和园参加水兵连，还在炊事班兼任司务长负责伙食。学校生活丰富多彩，在其中他造就情操，活泼胸宇，得到了更多磨真金不怕火，清华无线电系的学生时间留住了不少好意思好悲哀。冬日早晨，他步出九号楼寝室，趁着清沁肺腑背诵英文，晨光瞳瞳，霞光万谈，淡烟叠翠，他的见解投向了远处。
将来的科研谈路既需要在实践中期骗尺度论，深中肯綮，把抓枢纽，抓主要矛盾，又需要专心致志，心无旁骛，久久为功，将个东谈主发展与国度需要缜密团结起来，为故国的科研行状作念出孝顺。
64年无05班在八达岭
工场磨真金不怕火动漫，心无旁骛
1970年，赵正平毕业，被分拨到河北省井陉县赵庄岭公社小作村隔邻的井陉县电讯器材厂——深处偏僻山沟的县办军工三线小厂。他背着柳条包、铺盖卷前去报到，成为制造电板车间的工东谈主。
工场设有电板车间和二极管车间，他在电板车间负责配电解液。清华东谈主具有自立握住的精神，毕业时同学们饱读吹互勉“好好干”。他积极作念好本员使命同期和淳厚傅一齐搞电板工艺鼎新。进厂一年后，在原锗二极管车间搬迁到“二讯厂”后，厂里就把新建二极管的重担交给他，任命他为硅二极管筹办小组组长。 筹建二极管线需要挥发金属的挥发台，于是他前去140里以外的石家庄河北半导体研究所（信息产业部第十三研究所）；该所是井陉县电讯厂的援建单元，求助了一台仓库中废旧的挥发台。依据工艺要求他对挥发台的结构再行想象，将底本繁重的金属封罩改为玻璃钟罩，将新想象绘画图纸，请工程师父加工，对已淘汰的旧挥发台进行了澈底修订，并和师父一齐尽心清洗扩散泵、机械泵，加入新油再行利用，变废为宝。为此，他还带队亲赴上海，在上无十七厂学习二极督工艺，得到忘我的大肆匡助。1973年，他带领小组自建厂房，自制扩散炉、氧化炉、去离子水和测试仪器等开拓，铺设硅开关二极管线。新的硅二极管车间建成后，他担任二极管车间主任，负责分娩和处治多样工夫难题。举例二极管的正向压降总出现波动，他发现是因为硼扩散后在硅名义造成了一层硼硅玻璃，若后续的二次氧化不充分，其腐蚀后易造成残留。找到枢纽问题后，他立即加强了枢纽工艺限定。这期间他还自学半导体，购买格鲁夫的《名义物理》等，探索工夫问题。二极管车间的产量稳步上升，到1976年遇上基于分立器件的台式揣度机发展机遇，产量已达百万，净利润达30万元。1978年他光荣地加入了中国共产党，终显着在清华大学开动的志愿。
南工糊口，科研首先
女同调教但是，跟着集成电路的兴起，工场的二极管销路阻断，资金匮乏，无力更新换代。1978年头清华无线电系给工场致函，但愿赵正平返校回炉再造，那时他身兼全厂工夫员、车间主任，是工夫主干，未获工场情愿。同庚秋，研究生考试轨制复原。但愿重燃，他下定决心，勇猛尝试。过程首考蓦然鬈曲和一年时候的准备，1979年他再次步入科场，专科考试第一题波及灵验质料的看法，他用固态电子能带的偏微分方程一挥而就；玄学第一题是列宁对于物资的界说，他又一字不差。他充分推崇基础淳朴、自学能力强、善抓要点的上风，一举考入南京工学院电子工程系（6系），攻读半导体物理与器件专科。全县17东谈主考试，仅登第他一东谈主。
南工读研成为他科研糊口的首先，磨练出过硬的科研才略。第一，科研外语综合水平得到全面提高。他收拢科技英语中一词多义、句型套用关联的特质，并在多数阅读文件中实践，强化了阅读文件的手段——阅读文件轻装上阵，打牢了科研学问基础。第二，科研选题能力连接提高。那时，南工半导体教研室正研究硅MIS太阳电板，他取舍了MIS太阳电板中的超薄层介质膜看成研究课题，随后深入阅读研究上百篇研究文件，纪录了五大本条记。选用椭偏仪测量尺度可同期取得硅上介质膜的膜厚和折射率，但当介质厚度低于50埃后，不同厚度的薄膜中决定薄膜折射率的椭偏仪的ᴪ参数相重合，无法隔离超薄介质膜的折射率。那时海外上有些研究者将这一层超薄介质设定为二氧化硅，由此将薄膜的折射率设定为1.47，然后依据椭偏仪测到的δ参数来得到硅上超薄介质膜的膜厚。海外上也有些研究者通过多样名义分析尺度提倡Si名义上超薄氧化层不同的结构模子。他选用低温热氧化尺度制备了多个不同厚度的硅上超薄介质膜样品，到南化公司选用新引进的名义分析开拓对每个样品进行俄歇谱和XPS谱的综合分析，发现这层物资是由硅、氧化亚硅、一氧化硅、二氧化硅等构成的羼杂体SiOX，其X值随厚度而变化，为此，他依据分析收尾构建了超薄介质的SiOx的综合模子。揣度出X值，据此查表得出SiOX折射率。将椭偏仪测到的δ参数和SiOX折射率代入他用揣度机话语编好的椭偏仪测量函数公式，通过揣度机即可得到更接近施行的测量厚度。该研究效率发表在“南工学报”和“半导体学报”上，并荣获电子部科技高出二等奖。通过在南工的读研，他意志到，一定要选小而深、海外上存在争论、尚无定论的难题，才能有所创新。他的硕士论文获评优秀论文，毕业后他被分拨到了位于石家庄的电子第十三研究所。
超薄氧化层测厚工夫获奖文凭
深中肯綮，持续攻关
电子第十三研究所是我国四机部最早的半导体研究所，亦然我国首个晶体管的共同攻关单元和首块实用化集成电路发明地。他入所时碰劲研制第二代半导体GaAs功率器件处于攻关景况的最穷困时期，他看成十三所文革后的首位研究生，被安排在第五研究室——挑战最大、最吃紧的前沿，以普通工夫员身份，在502组从事光刻工艺。十三所军功赫赫的工程师都在一线，小组中十几东谈主全是拔尖东谈主才，他在此环境下脱颖而出。
那时，十三所已攻下微波X波段100毫瓦、500毫瓦等GaAs中、小功率器件，但是当器件的总栅宽按比例增致瓦级器件所需总栅宽时，流片出的器件增益为零分贝，对此久攻不下。濒临难题，赵正平在作念好光刻工艺的同期也积极参与攻关想象使命，选用抓主要矛盾的念念路，分析增益为零的原因。通过GaAs器件等效电路模子的分析，当增加器件总栅宽较大后，在此器件物理模子中选用空气桥面接地的电感这一寄生参数显贵增加，导致增益大幅着落。凡事“预则立，不预则废”。在获知将分拨至十三所使命时，他已有备而来，将微波电路方面竹素从南工的无线电系（4系）的同学借来阅读，包括清华无线电系高保薪老师的《微带电路》等。他还写信和搞微波的4系的同学，咨商议题，考据分析。正在此时，4系的李嗣范老师从日本带总结X波段瓦级的器件，得挚友讯后，他以为机会难得，于是用五支自制的X波段500毫瓦管子，交换到其中一支。那时海外上公开发表文件上报谈：X波段的GaAs功率的多指器件的单指栅宽不可突出125微米，一朝突出，会导致传输的信号大幅衰减。而从日本引进的瓦级器件的单指栅宽败坏了这一截至，给他新的启示。他再次揣度了单指栅宽的信号的传输损耗和寄生接地电感的传输损耗，量度后得出单指栅宽、总栅宽和面接地的尺寸的最优想象决议。课题组长李松法研究员按照新决议再行想象制作疆域，经全组同道的尽力第一次投片即获凯旋，器件的增益上升到4-5dB！旗开凯旋，难题处治，该课题组的X波段GaAs瓦级功率器技俩件荣获电子部科技高出一等奖，他在十三所脱颖而出，所里将更重的任务交给他。
1985年，难题又相继而至。国度“六五”攻关任务要求制作X波段砷化镓的微波功率单片集成电路（MMIC），即在GaAs衬底材料上制备包含功率器件和匹配电路的单片集成的两级功率放大器，用于要点工程。有位老同道攻关三年，制成了放大器，但中心频率总不褂讪、带宽较窄，久攻不下，而离完成任务已是终末的一年了。为此，室里特意成立了新的攻关小组504组，赵正平担任课题组长。他当先阅读文件，推崇上风，详查海外上GaAs单片功率集成电路的研究文件，已有著述报谈，当匹配电路的GaAs微带之间的间距小于3倍w/h时，互相之间会产生交扰效应，会影响电路的性能。经CAD揣度模拟原想象的放大器电路性能泛泛，而分析原单片电路的想象疆域时，他发现匹配电路的两个微带间距太近（仅有1.5倍w/h），判断其所产生的交扰效应是影响频恣意能的枢纽。他再行想象了电路的疆域，将匹配电路由微带改成集总参数的新决议，由电感和电容构成匹配电路，与微带决议比较较既粗放了电路的尺寸又便于拉开匹配元件的距离。在全组的尽力，包含原想象的老邓研究员的全力参与，新版一次投片凯旋，频率褂讪，且带宽增加了5倍。据此又完成了两级MMIC的投片，经用户使用，知足整秘要求。1985年往时终了定型坚强并按期完成任务，1986年此国度的六五攻关任务——砷化镓微波单片功率集成电路放大器获电子部科技高出一等奖、国度科技高出三等奖。
上世纪80年代中期，国内微波通讯茂密发展。504小组对准那时微波通讯急需的GaAs微波漂泊管进行新的攻关，原制作的空气桥面接地结构的器件用于微波漂泊管时增益偏低，仅有五六个分贝，使命频率总在10GHz傍边徜徉。为了攻下18GHz的频率，怎样提高增益，问题在哪？他再次多数查阅海外文件。在海外MTT会上，报谈了选用一种源区穿孔工夫，将GaAs功率MMIC的频率一下提高至28GHz。而能否从GaAs多栅器件的源区的空气桥面接地结构改为源区顺利接地的结构，将会使接地寄生电感更小？他决定带领小组的工程师自行研制一套源区穿孔工艺。经揣度，新结构将使器件的寄生电感大幅着落，且将芯片约减薄至20微米，在从芯片后面镀上一层厚金，更易于散热，使器件使命结温进一步缩小。1987年，高频高增益砷化镓功率器件制成，使命频率上升至18GHz，在12GHz下的功率增益达10-11分贝。经微波通讯的用户使用，响应很好。该器件取得电子部科技高出二等奖，并得到多数应用。
GaAs 功率MMIC获奖文凭
瀽瓴高屋，勇担重担
1986年，赵正平先后担任十三所第五研究室副主任、主任。1987年后又提为副长处，开动左右全所科研。跟着卫星通讯的发展，海外上已终显着C波段的星用真空行波管功率放大器被星用GaAs固态放大器所替代。我国发展通讯卫星也急需用于转发器中的中枢部件GaAs固态放大器。十三所一直研究砷化镓大功率器件（固态放大器之中枢），国度重纵脱味要紧发展机会，在毕长处的带领下他决心连结国度急需的任务，一个研究所要发展必须急国度之所急，敢打硬仗。1991年5月29日上司下达了攻关任务，时候着急，仅剩一年九个月，任务艰巨，是国内初次研发高可靠的星用GaAs固态放大器。大会战成立了“两师”系统，毕长处担任行政总引导，他担任副总引导兼总想象师，组织全所8个研究室500东谈主伸开会战。最终星用固放的会战取得完胜。
濒临全新课题、重重难关，他调遣全所力量，集念念广益，都心合力，组织会战，败坏了多项枢纽工夫：以高可靠系列GaAs微波功率器件为主的微波放大链；微波GaAs大功率内匹配与结温精准测量工夫；金属陶瓷大腔体封装工夫；以高可靠Si双极静电感应功率开关管为主的一体化开关电源工夫；抗浪涌电流的固态开关工夫；星用的保障丝工夫；薄壁金属多腔放大器外壳和星用一体化固放可靠性想象与工艺工夫等。过程全所同道的一年零九个月的昼夜奋战，一体化的星用GaAs功率放大器研制凯旋，完成了上卫星的达载任务，其国产化率达99%，使用性能优于引进家具，常期褂讪可靠。为此赵正平荣立电子部个东谈主一等功，十三所该技俩获国度科技高出二等奖、电子部一等奖。C波段的星用固态放大器的研制凯旋始创了国产固态放大器的先河，十三所连续研制凯旋了表象卫星、通讯卫星、导航卫星和载东谈主飞船等固态放大器和微波组件，连接鼓舞高可靠GaAs微波组件的国产化进度。
GaAs一体化固态功率放大器获奖文凭
在神舟一号辐射凯旋会上
1993年，毕长处上调后，赵正平被任命为长处，看成年青的长处，濒临新的任务，他学习了“率领科学”，意志到任何事物发展均有其法例性、出奇性，科研使命和治理使命贯注思上是重迭的。率领十三所发展亦然一门科学，要掌抓治理的法例性，当好所率领班子的班长。他在所率领班子中明确单干，并造成A、B角，他相配尊重每位付长处，使他们一官半职，他和党委布告造成共商大事的口头。他主要负责两件事，一是把抓所发展的科研标的，二是带好所班子，对全所使命负总责。
1992年年头，微电子专科构成立，他成为首届国度级微电子专科构成员，进入国度计策制定的民众层面。他将电子13所的发展和国度微电子的发展缜密相团结。他提倡的发展GaAs微电子的建议被选用，并为后续系列的星用GaAs固态放大器和GaAs MMIC的大发展所考据。
给江泽民总布告陈述微电子预研效率
在所科研方朝上，他建立了GaAs功率器件与集成电路要点实验室，鼓舞GaAs集成电路的发展，在所光电子范畴鼓舞发展了GaN兰光LED和瓦级的半导体激光器，同期他在发展微电子机械系统（MEMS）和新一代SiC、GaAs宽禁带半导体两个新范畴作念出孝顺。上世纪80年代末到90年代初海外上开动发展Si基MEMS，他锐利发现这一“小机器，大看成”的新的标的，是微电子两维工艺工夫向三维工艺在微电子和微机械交叉范畴的新发展。每年十三所都有“所控课题”，赵正平立即给谍报室下课题，指明业务标的，跟踪MEMS的发展。1995年，当国度开动宝贵MEMS发展时，13场所微电子专科组中能提供厚厚一册海外MEMS发展府上，复古了微电子专科组中MEMS范畴发展。在谍报先行的条目下，在所里，他抽调精兵强将安排到所里一条四英寸晶圆的硅工艺线开展MEMS的预先研究，拉开了十三所MEMS发展的序幕。为此，十三所、清华和北大成为我国发展MEMS的“朔方金三角”，十三所是中国微米纳米工夫协会的成员单元，看成发起东谈主之一，他出任微纳工夫协会常务副理事长。
90年代后期海外上开动SiC、GaN为主的新一代宽禁带半导体功率器件的研究，看成微波功率器件的民众，他一直原宥这新一代半导体的发展动向，立即安排了所控谍报课题研究，并在所里从预先瞻性研究的要点实验室安排宽禁带半导体功率器件的预先研究，研发出洋内首款GaN HEMT器件。1999年，赵正平就任国度973想象的新器件民众组组长，他建议把在功率器件范畴具有发展后劲的宽禁带半导体材料和器件写入《发展选录》。到中国电科使命后，他摊派基础范畴使命，他带领集团所属13所、55所、46所等研发力量，纠合寰球最优秀高校、中科院等研究单元报告并组织宽禁带半导体材料与器件的攻关，任973项方针首席民众，该攻关任务也极大鼓舞了十三场所宽禁带半导体功率器件的新发展。
2001年江泽民总布告到电子13所考核
新世纪开入手下电子所迎来编削的机遇，上司决定46个研究所和所属企业组建集团公司，2001年9月中组部批了筹办组，赵正平是筹办组的成员之一，2002年中国电子科技集团公司成立。他历任中国电子科技集团公司的党构成员兼总司理助理、科技委任副主任、党构成员兼副总司理。中国电子科技集团公司是唯独具有23个元器件基础研究所的电子集团，在国度发展电子基础方面具有关键背负。新的使命岗亭使他能在更大的舞台上为国度发展献计献计。2000-2006年看成863信息范畴的民众参与了高端集成电路专项的发展计策和项方针顶层治理，2003年看成课题负责东谈主组织率领中国电科的48所攻克863的课题100nm离子注入机。2004年他在相关会议上提倡元器件自主可控发展的建议，2005年将包含宽禁带半导体和半导体光电子等内容的“先进半导体”技俩上报，后被纳入国度科技要紧专项的“核高基”（中枢器件、高端芯片、基础软件）技俩之中。2006年，他被科技部聘为"核高基"和“极大限制集成电路工艺和开拓”两个国度科技要紧专项执行决议编制民众组民众，参加要紧专项的决议制定。2008年8月，“核高基" 要紧专项恰当启动时，他于5月份刚退休。“为故国健康使命五十年”的清华精神激勉他连续使命在他所可爱的半导体行状上。他在“核高基" 的宽禁带SiC、GaN微波功率器件课题中任总想象师，连续组织率领上述973技俩造成的国内上风团队，将预先研究效率提高到工程化家具。2012年，又牵头报告了新的973技俩，任首席民众连续组织率领高频高速的GaN集成电路的前瞻性工夫发展，2016年全面完成。他于今仍然是半导体行业协会的民众组的付组长，科技委电子范畴民众，要点实验室学术委员会的付主任，快乐地为国度的半导体行状孝顺灵敏。
赵正平健康地为故国使命五十年
访谈至此，咱们不仅深念念：是什么莳植了赵正平老师累累的科研效率？为什么他总能把抓标的，深中肯綮，让难题应刃而解？一是他善于期骗矛盾论，抓主要矛盾。他说，科研使命每遇穷困，必相关键身分在起枢纽作用，能否找到它至关关键，这恰是矛盾论的中枢。收拢问题的中枢，期骗矛盾论，遵循于枢纽点，辘集发力，处治主要矛盾，其他问题就应刃而解了。科研所的发展上要有计策见解，要善于超前的寻求国度的需求，处治国度需求等于中枢问题，等于研究所发展的主要矛盾。二是他专心致志，心无旁骛。他强调，科研教育重在志存高远、用心参加，一心一意追求东谈主生价值的终了。容身于永恒实践的专心致志、久久为功能收永恒精一之功，最终终了个东谈主持想与国度需要的更好团结。
采访合影
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采访 | 陈文采、万军、乔元春
影相 | 部分图片由受访者提供
撰稿 | 万军